第二季 DRAM 营收季增 11.3% 再创新高,然价格高点已近

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  • 日期(2020-07-28)
第二季 DRAM 营收季增 11.3% 再创新高,然价格高点已近

根据 TrendForce 记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示,2018 年第二季由于供给吃紧情况延续,带动整体 DRAM 报价走扬,DRAM 总营收较上季成长 11.3%,再创新高。除了绘图用记忆体(graphic DRAM)仍受惠于虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温,带动价格有 15% 显着上涨外,其余各应用别的记忆体季涨幅约在 3% 左右。

展望第三季价格走势,DRAMeXchange 指出,PC-OEM 厂已陆续在 7 月份议定合约价格。就一线大厂订价来看,均价已来到 34.5 美元,较前一季上涨约 1.5%,涨幅已大幅收敛。从市场面观察,在需求端成长有限、供给端产能集中在下半年开出,加上现货价持续走跌的趋势下,预估第四季合约价恐难再有显着涨幅,亦显示整体 DRAM 价格的峰值(peak)已经到来。

观察全球 DRAM 大厂营收表现,三星稳坐产业龙头,营收再创历史新高,来到 112.1 亿美元,季增 8.2%;SK 海力士受惠于位元成长显着,营收较前季大幅成长 19.5%,达 76.9 亿美元,亦帮助 SK 海力士于第二季夺回部分市占。两大韩厂第二季营收市占率分别为 43.6% 与 29.9%,合计约 73.5%。

美光集团仍旧维持第三,亦持续扮演价格领先者(price leader),报价上涨幅度最高。然而因先前氮气事件,美光第二季位元出货仅与前一季相当,营收季增 6.3% 至 55.4 亿美元,增幅相对较小,市占率较前一季下滑 1 个百分点,来到 21.6%。

观察原厂获利能力,三星的涨价幅度在三大厂中最小,除了因第一季基期较高,亦显示先前中国反垄断调查无形中已带给三星压力。此外,因其 1Ynm 目前仅在客户验证,可能要到第三季中旬才能放量,因此第二季营业利益率维持在 69%。反观另外两厂,持续受到价格上涨与製程微缩所带来的成本效益,SK 海力士营业利益率从第一季的 61% 提升至 63%,美光营业利益率则从 58% 拉升至 60%,为首次三大原厂营业利益率皆突破 6 成水準。

然而,展望下半年,除了供给端产能逐渐开出、各厂 1X / 1Ynm 比重逐步提高外,三星报价模式也转趋保守,皆暗示报价上涨的难度增加。此外,目前三大厂生产 DRAM 的平均毛利率已突破 7 成,已带给买方巨大的 BOM cost 压力,亦显示出原厂的获利能力可能已近高点。

由技术面观察,三星今年除了维持 1Xnm 製程高产出比重外,部分 Line 17 扩产以及即将投入的平泽厂 2 楼 DRAM 产能,将继续往下一代 1Ynm 製程转进。随着平泽厂产能扩增,预期 1X + 1Ynm 产出比重在今年底合计将达 70%,并于 2019 年持续提升。SK 海力士已于去年底导入 1Xnm 的生产,然而进入 1Xnm 世代製程难度高,SK 海力士目前仍致力于提升良率,扩厂计画则维持不变,中国无锡新建的第二座 12 吋厂将于今年底前完工,2019 上半年开始贡献产出。而美光方面,台湾美光记忆体(原瑞晶)1Xnm 已完成 100% 转换,并将于明年直接转往 1Znm,而台湾美光晶圆科技(原华亚科)则于第二季开始进行 20nm往 1 Xnm 的转换,预计今年底将可望有半数产能转往 1Xnm 生产,并于明年上半年全数导入。

台系厂商部分,南亚科第二季营收季增高达 28.6%,除了归功于 20nm 带来明显的位元成长和价格持续走扬外,第二季开始出清第一季的 DDR3 高库存亦是一大重点。20nm 的成本效益更带动营业利益率来到 46.8%,较上季成长 2.5 个百分点。然而,由于 DRAM 报价上涨不易,加上要开始摊提扩厂的折旧费用,南亚科未来的获利能力恐受压缩。

力晶科技方面,由于替晶豪科、爱普等 IC 设计业者代工的比重提高,力晶本身 DRAM 营收较上季下滑 13.5%;华邦方面 DRAM 营收季成长 8.7%,主要受惠于 38nm 比重持续提高。

第二季 DRAM 营收季增 11.3% 再创新高,然价格高点已近